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Intel : 5 milliards de dollars pour Fab 42 et gravure 14 nm

C’est en Arizona qu’ Intel va déployer un nouveau site de production avancé, d’une valeur de 5 milliards de dollars et qui va permettre de s’attaquer à la gravure en 14 nm. Toujours fidèle à sa stratégie consistant à maintenir une grande partie de ses sites de production sur le sol américain, le fondeur Intel […]

C’est en Arizona qu’ Intel va déployer un nouveau site de production avancé, d’une valeur de 5 milliards de dollars et qui va permettre de s’attaquer à la gravure en 14 nm. Toujours fidèle à sa stratégie consistant à maintenir une grande partie de ses sites de production sur le sol américain, le fondeur Intel annonce qu’il a trouvé le site pour sa prochaine usine avancée : Fab 42 sera bâtie à Chandler, en Arizona, représentant un investissement de plus de 5 milliards de dollars. Paul Otellini, CEO d’Intel, en a fait l’annonce lors d’une visite du président Barack Obama sur l’un de ses sites. Et Fab 42 ne sera pas n’importe quelle usine puisqu’elle permettra de descendre jusqu’à des niveaux de gravure de 14 nm, continuant d’alimenter ainsi les efforts de miniaturisation, de performances et de faible consommation d’énergie des composants électroniques. La construction du site débutera en milieu d’année et devrait être terminée d’ici à 2013. Le site Fab 42 permettra à Intel de garder une longueur d’avance en matière d’innovation sur les composants. Le fondeur a rappelé que si les trois quarts de son chiffre d’affaires sont générés hors des Etats-Unis, la société fabrique les trois quarts de ses microprocesseurs sur le sol des Etats-Unis, alimentant l’économie du pays et fournissant de nombreux emplois. Fab 42 sera l’usine de production de semiconducteurs la plus avancée au monde et produira des wafers 300 mm. En octobre 2010, Intel annonçait déjà un plan d’investissement de 6 à 8 milliards de dollars pour la mise à niveau de certains de sites afin de leur permettre de proposer des niveaux de gravure de 22 nm. A noter que les générations de processeurs mobiles annoncés lors du salon MWC 2011 de Barcelone et disponibles à partir de 2012 (TI OMAP5, la nouvelle génération SnapDragon de Qualcomm) feront appel à des niveaux de gravure de 28 nm.In GNT

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Écrit par itmag2003

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